来自韩国的芯片巨头SK海力士宣布了一项重大决策：在美国投资逾40亿美元，建立高带宽内存（HBM）生产中心。计划中的次世代HBM4E芯片量产时间定为2029年第三季度。这一举措的核心驱动力是人工智能投资的持续升温，进而加大了对HBM的需求。为此，SK海力士正在加快推进美国战略布局，目的是让自身的生产设施更加贴近主要客户，包括英伟达（Nvidia）、微软以及谷歌等科技巨头。
这座新工厂选址在美国印第安纳州的西拉菲叶特，坐落于普渡研究园区内。SK海力士将投入超过40亿美元的资金，使其成为美国境内举足轻重的HBM生产中枢。
根据SK海力士首席执行官郭鲁正（Kwak Noh-Jung）的预测，该厂区将在2028年下半年启动洁净室生产作业，届时年产能可达数十万片晶圆的处理规模。
该项目反映了SK海力士在美国市场的战略升级。伴随人工智能领域投资的井喷式增长，高带宽内存的市场需求持续扩大。这家芯片制造企业意在通过地理位置的优化，与英伟达、微软以及谷歌等核心客户构建更紧密的合作关系。
新工厂内将建设两大功能区：一是承担次世代HBM芯片封装任务的生产线，二是专注AI半导体创新的研究开发中心。郭鲁正强调，公司致力于在美国建立一条尖端的内存供应链体系。
高带宽内存是一类特殊的存储芯片产品。其核心技术原理是采用芯片的垂直堆叠方式，既能显著加快数据处理效率，又能有效降低能耗水平。这种特性使得HBM特别契合AI应用对海量计算能力的要求。
相比常规内存产品，HBM芯片的独特之处在于能与AI处理芯片形成紧密耦合，这形成了相当的技术壁垒，从而赋予供应商更强的市场话语权。在经历了行业的短期下行周期后，HBM已然崭露头角，成为内存制造商谋求业绩增长的关键赛道。
市场研究公司Counterpoint Research的数据显示，SK海力士在本年一季度的全球HBM市场中以营收衡量的份额达到58%，这一领先幅度相当显著——排名其后的三星和美光的市占率分别为21%。
SK海力士的重要客户英伟达预计下一个财年的收入将实现70%的增长，这充分说明了AI计算的强劲需求不会减弱，也打消了投资者对该热潮可能冷却的担忧。从郭鲁正的表述可以看出，SK海力士对内存市场的周期性判断是：近期回暖的趋势将持续，短期内难以看到反向走势。
该公司估计，新厂投产及配套供应链建设将为当地社会创造约7000个就业岗位，涵盖直接和间接的就业形式。这一举措也将有利于增强半导体产业链的抗风险能力。
美国政府在支持该项目上表现积极，已在2024年12月根据《芯片法案》的规定，为SK海力士提供4.58亿美元的资金补助，并承诺最高达5亿美元的贷款支持。
与此同时，SK海力士董事会在本月初批准了一份覆盖至2031年的投资蓝图，总投资规模约383亿美元。其中，韩国国内芯片工厂的第二期扩建项目就占了248亿美元的重要比重。
