台积电在美国亚利桑那州的Fab 21工厂传来喜讯，英伟达首款在美国本土生产的GB300人工智能芯片已成功下线，采用4纳米先进工艺。这一成就表明美国已建立起高性能AI处理器的商业化制造能力，进一步印证了台积电美国工厂在尖端芯片领域的竞争实力。
然而，在亚利桑那州完成制造的晶圆仍处于”半成品”阶段。后续工序需将这些晶圆空运至台湾，由台积电进行CoWoS先进封装工艺处理，完成后才能提交给系统制造商进行最终的产品组装。形成了晶圆制造在美、先进封装在台的分离局面，尽管美国投入巨大，但AI芯片全产业链的垂直整合仍未实现。
产业观察人士认为，美国AI产业链当前的缺陷主要在于CoWoS先进封装技术未能实现本土化。实现这一关键环节的国内替代，将填补美国AI芯片完整制造生态中最后的技术空白。
台积电对此已做出响应——计划在亚利桑那州投资建造两个先进封装设施，并计划引入更尖端的SoIC封装技术。这些项目的总资本投入预计达2650亿美元。
待CoWoS和SoIC相关产线在美国启动量产后，英伟达的Blackwell和Rubin系列下一代芯片产品将能完全实现从硅晶圆冶金、先进集成封装直至AI服务器整机组装的美国本土闭环生产。
与此同时，台积电也制定了进度表，到2028年底前，将把N2（2纳米）以及A16（1.6纳米）等更为尖端的制程工艺线引入美国工厂。
在服务器制造环节，本土化进程也在同步推进。富士康（鸿海）已于德州休斯敦地区建立GB300 AI服务器的专业制造中心，而纬创则在达拉斯开设了服务器生产线。
然而，在亚利桑那州完成制造的晶圆仍处于”半成品”阶段。后续工序需将这些晶圆空运至台湾，由台积电进行CoWoS先进封装工艺处理，完成后才能提交给系统制造商进行最终的产品组装。形成了晶圆制造在美、先进封装在台的分离局面，尽管美国投入巨大，但AI芯片全产业链的垂直整合仍未实现。
产业观察人士认为，美国AI产业链当前的缺陷主要在于CoWoS先进封装技术未能实现本土化。实现这一关键环节的国内替代，将填补美国AI芯片完整制造生态中最后的技术空白。
台积电对此已做出响应——计划在亚利桑那州投资建造两个先进封装设施，并计划引入更尖端的SoIC封装技术。这些项目的总资本投入预计达2650亿美元。
待CoWoS和SoIC相关产线在美国启动量产后，英伟达的Blackwell和Rubin系列下一代芯片产品将能完全实现从硅晶圆冶金、先进集成封装直至AI服务器整机组装的美国本土闭环生产。
与此同时，台积电也制定了进度表，到2028年底前，将把N2（2纳米）以及A16（1.6纳米）等更为尖端的制程工艺线引入美国工厂。
在服务器制造环节，本土化进程也在同步推进。富士康（鸿海）已于德州休斯敦地区建立GB300 AI服务器的专业制造中心，而纬创则在达拉斯开设了服务器生产线。
