高带宽存储芯片(HBM)的供应一直令黄仁勋感到棘手。为了确保这一核心器件的充足配给，今年中旬黄仁勋曾亲自率队走访亚洲各地。
令人意外的是，黄仁勋对此的态度发生了戏剧性转变。进入8月以来，他做出了一个大胆的决策，英伟达对其下一代旗舰级芯片Rubin Ultra的内存配置进行了大幅度调整。
根据行业消息透露，英伟达团队在最近数周内曾多次论证过多个低配方案，最终锁定：将旗舰版本的高带宽存储从预设的12层堆叠、共计384GB，缩减为8层堆叠、共计192GB，单颗芯片的内存容量因此腰斩。与此同时，芯片的模组数量也从4个精简至2个，整机功耗从2300W降低至1800W。
这一消息公开后，SK海力士的美国存托凭证当日跌幅达4.97%，其韩国本土股票次一交易日跌幅超过10%。
生产高带宽存储的厂商备受打击也就罢了，生产闪存芯片的闪迪也随之陷入困境。
英伟达宣布这一决策仅两天前，闪迪才发布了公司有史以来最亮眼的季度财报。
2026财年最后一个季度，闪迪的营收达到89.7亿美元，与上年同期相比增长达372%，相比上一季度增长51%，较市场普遍预期高出约7%；按非GAAP计算的每股收益为39.25美元，超出研究机构分析预期约14%。
AI产业对硬件需求的持续增长已经推高了存储芯片厂商的业绩，如今这已不足为奇。
本季度，闪迪创造的单季净利润为69亿美元，整个财年实现114亿美元的净利润，较前一年增长了令人惊诧的797%。公司同时宣布将推行一项规模达140亿美元的股份回购方案，毛利率稳定在83%至85%的历史最高水平。
如果仅从这些数据来看，闪迪自创立至今交出的答卷无疑最为瑰丽。但市场的反应却令人瞠目，盘后交易中股价一度下挫逾8%，最终以5%左右的跌幅收盘。
情况还不止于此。早在财报公布之前的7月份，闪迪的股价已经单月暴跌约40%，从6月创造的历史高位计算，已经回落55%以上。
业绩屡创新高，股价却持续走低——这一看似悖论的场景，正在整个全球内存芯片行业上演。
从三星、SK海力士，到美光、铠侠，存储芯片领域的所有巨头都在重复着同样的故事。
利润达到前所未有的高度，但股价却在不断下行。闪迪新发布的财报，只是这出戏的又一次重演。不过其意义在于，作为专业从事NAND芯片业务的企业，闪迪的财务表现与前景预期为我们理解当下存储芯片行业所处周期阶段提供了一个清晰的参照。
01
内存芯片企业面临的共同困局
闪迪在财报说明会上针对2027财年首个季度给出了营收预期。该公司估计来年第一季度的营收区间为103亿至108亿美元，中值约105.5亿美元，而业界通常的预测范围则是108亿至111.6亿美元。
预期中值相比市场共识偏低2%到5.5%，看似幅度有限，但在当前的市场心态下，这种不达预期被无限强化。
闪迪Q4环比增幅为51%，若按Q1中值指引推算，环比涨幅会突降至约17.6%。值得关注的是，闪迪在财报中披露，Q4营收环比增长的动力中，大约三分之二源于价格上升，仅三分之一来自销售量的扩大。这表明，一旦价格涨幅遇冷，整体增速就会加速回落。
因此，即便闪迪的赚取规模在不断膨胀，但其增长的节奏却突然放缓。股票市场看重的是前景，投资者购买一家企业的股票并非因为它眼下获利多少，而是期待其未来的增长幅度。当增长的步调降速，市场对前景的评估随之转向，股价于是下跌。
7月29日，SK海力士公开了2026年第二季度的财报数据，营收达到79.32万亿韩元，与去年同期相比暴增257%；营业利润60.54万亿韩元，同比激增557%；营业利润率达76.3%，毛利率为83%。
这些数字无疑刷新了整个存储行业的历史高度，乃至超越了英伟达所创造的75%毛利率水平。作为硬件生产企业的SK海力士，其毛利水平如今已与Meta等软件公司相当。
而且，海力士在这一个季度就实现了60万亿韩元的营业利润，这个数字单独超过了2025年全年47.2万亿的利润总和。
然而财报发布的当日，海力士的股价却遭受重创，跌幅曾一度超过19%，刷新了单日最大跌幅记录。本周内累计下滑25%，公司市值被蒸发约308万亿韩元，折合人民币约1.45万亿元。
其中的原因同样指向”业绩未达预期”。市场此前的测算预计海力士Q2营收约85万亿韩元，实际数字为79.3万亿，差距达5.7万亿。问题的症结在于HBM4的交付进度延后、产品构成欠佳、高端产品的占比不符预期。在众目睽睽之下，缺陷就会被过度放大，从而催生大量平仓操作。
三星电子的故事如出一辙。三星7月末发布的季度财报显示，营业利润达89.5万亿韩元，同比跃升1814%；净利润71.6万亿韩元，同比增长1299%。
这些数据同样具有历史意义，但财报公布后三星股价依然保持下跌趋势，7月份累计跌幅约17%，公司市值消失约244.8万亿韩元。若从6月的峰值计算，三星和海力士两家公司市值合计蒸发已超过4万亿元人民币。
市场对企业的定价逻辑不是基于当前的盈利数字，而是基于盈利的增长幅度。当一家公司的利润从1亿增至10亿，增长速度高达900%，股价往往会大幅上升；利润从10亿增至60亿时，增速为500%，股价可能继续走高；但一旦市场预判下一个周期的利润增速会从500%降至200%，即使绝对利润数字仍创历史新高，股价也会开始下行。
周期性产业股票的顶部，往往不是利润水平最高的阶段，而恰恰是利润增长速度开始衰退的时刻。
所谓”指引悬崖”的现象正是这样，企业的业绩仍在增长，但增速出现陡峭下滑，市场对于未来的预期瞬间反转。
闪迪公布的Q1指引，正是这种悬崖在闪存领域浮现的第一个明确信号。Q4环比增速51%，Q1陡然降至17%左右，这种幅度的下降太过剧烈，因此市场的判断是，闪存价格上升的周期已临终点。
前面提及，闪迪Q4的增长中三分之二由价格驱动，这说明价格上涨在增量中占据了绝对主导。
然而价格的上升不可能无限延续。当前市场上的各式硬件产品因为人工智能产业对产能的大幅占用，价格已经暴涨。如果价格继续上行，下游企业的购买预算就会逼近天花板，届时就会不断涌现替代方案。毕竟即使是大户客户也没有多余的资金。
三星与海力士的高带宽存储业务虽然仍在拓展，但其增长的速度已有放缓迹象，HBM4的交付延迟更是为高端产品线的前景蒙上了一层阴影。
TrendForce给出的预测是，2026年第三季度DRAM的合约价格环比仍会上升13%至18%，NAND闪存的合约价格环比将上升10%至15%，但闪存的上涨幅度已远低于之前预期的21%。
TrendForce表示，2027年下半年以后NAND闪存的供应面会逐步放松，价格可能会受到调整压力。至于DRAM则形势相对更好，因为高带宽存储在持续竞争产能、人工智能服务器的采购保持强劲。
但TrendForce也指出这样的好形势无法长期维持。市场总有极限，DRAM本身并非消费品，没有理由市场会对其无限提出需求。
02
黄仁勋似乎改变了主意
假如说闪迪的指引悬崖代表闪存周期见顶的信号，那么英伟达对Rubin Ultra的内存配置大幅下调，对于整个内存芯片市场可谓是釜底抽薪般的一击。
TrendForce其后发文表示英伟达正在同步论证HBM4e 8层、HBM4 12层、HBM4 8层等不同的技术方案，真正的规格方向还需到2026年下半年经过验证后才会定板。
这则信息一经传出，三星和SK海力士即刻陷入了被动局面。
高带宽存储在所有存储芯片品类中单位价格最昂贵、单位利润最丰厚，也是韩国厂商本轮超级景气周期中利润激增的主要源头。
SK海力士目前掌控高带宽存储市场的约70%份额，三星占约20%。
此前市场对海力士给予高估值的理由基本都围绕高带宽存储展开：人工智能芯片的高带宽存储容量伴随代数迭代而不断增加，单卡的价值含量持续攀升，高带宽存储的增长轨迹会维持陡峭向上的态势。
依据SemiAnalysis的计算，因为高带宽存储价格持续上涨，Rubin Ultra服务器架构的物料清单成本原本从660万美元攀升至800万美元，其中仅高带宽存储一项就占约28%。
对于高带宽存储的厂商来讲，销售数颗和销售十多颗芯片，营收和利润差异是相当可观的。
英伟达这一举措，基本上对高带宽存储市场造成了毁灭性冲击。
作者声明：该图片由AI生成
根据404K Research的数据，Rubin Ultra占2027年全球高带宽存储需求的约20%，倘若其内存从384GB缩至192GB，相当于全球高带宽存储市场少卖出约10%的产品。
但真正的问题并不在此处。Rubin Ultra原定的设计是采用12层堆叠的HBM4e芯片，现在的主流版本改用了8层堆叠的HBM4。HBM4e单颗价格比HBM4高20%到30%，而12层相比8层在芯片数量上多出50%。
两个因素结合，Semi Analysis指出，单块处理器对应的高带宽存储价值跌幅远远超过50%，单架服务器的高带宽存储支出从224万美元缩减至约90万美元。
HBM4e是SK海力士利润最为丰厚的产品系列，因为该公司的HBM4e 12层堆叠产品良率偏低、替代品稀少，具有很强的定价话语权。
倘若英伟达的主要型号全部改为采用HBM4 8层堆叠，那么不仅价格会走低，三星和美光的市场竞争力也会相对提高。
7月10号，SK海力士在纳斯达克成功登陆的那一天，首席执行官郭鲁正在接受媒体采访时讲到，2027年将开启存储产业最严峻的供应困境，需求大于供应的局势会继续延伸至2030年之后，用户的订单远远超出可产能力，即使全力扩大产能也无法应对。
市场也普遍认为高带宽存储价格会持续上涨。但现在来看，该是踩刹车的时候了。
03
本土芯片厂商的机遇
在分析全球内存芯片产业时，有一项因素是绕不开的，就是本土厂商的技术突破。
7月中旬SK海力士和三星股价开始暴跌之际，曾传闻说本土存储芯片有望打破海力士和三星长期以来的市场垄断。
长鑫科技在7月27日于科创板实现上市，首日股价涨幅达465.82%，不到24小时市值就突破了3.28万亿元。
若要准确理解本土芯片厂商对全球内存芯片格局的实际作用，我们需要理清长鑫在业界的真实地位。
依据Counterpoint Research发布的数据，长鑫科技在全球DRAM市场里的占有率从2025年首季的3%增至2026年首季的8%，现已成为全球第四大DRAM供应企业。
作者声明：该图片由AI生成
这充分表明了本土存储芯片从无到有的成功突破，但真正挑战三大巨头的地位仍需时日。
技术层面上，长鑫已成功实现了DDR5和LPDDR5芯片的工业化生产，自行开发的4F制程突破了17纳米技术门槛，巧妙规避了极紫外光刻设备。
这个技术阶段大体相当于韩企2年前的技术水准，在消费类和数据中心领域已具有一定的市场竞争性，但在高带宽存储领域，长鑫还存在明显不足。
高带宽存储拥有其特殊性，需要更先进的工艺和极为复杂的3D封装工艺，长鑫眼下还不具备大规模批量生产高带宽存储的条件。
产能规模上，长鑫的扩张进度很快。到2026年年终，预计月投片产能会跃过30万片。
8月4日，据媒体报导，长鑫正在北京亦庄地区筹措建立第二个DRAM生产基地。
长鑫已同北京经济技术开发区科技制造平台展开了早期融资谈判，请求不少于6000万元的资金挹注。然而该计划目前尚处初期阶段，具体的投片量计划和投产时间表尚未确定。
加上已在实施中的上海高带宽存储封装测试基地，预期在2026年底至2027年初投运，当前长鑫形成了多管齐下的战略：现有的合肥和北京地区3座厂房在加速扩建，北京的新厂房在论证阶段，上海的新型工厂在建设中。
基于新华网7月份的报道，长鑫和长江存储都在规划建造新的生产设施，估计2027年以后整体投片产能可达现今水平的两倍及以上。
长鑫目前在合肥、北京区域开设了3座12英寸生产线，月均产能在28到30万片之间，到2026年年末将冲击30到35万片的产能目标。倘若北京第二生产线和上海工厂都建成投产，远期的月均产能很可能超越50万片。
苹果公司对全球内存芯片业来讲，无疑是一个顶级采购商，目前苹果为了优化下一代iPhone产品的生产成本，已开始与长鑫存储接洽手机内存(主要包括LPDDR5X)的购销协议。
苹果的初衷，是借由长鑫的参与争取到比三星、SK海力士更具竞争力的报价，与此同时也把长鑫作为筹码对韩企施压要求降价。这是苹果采纳多年的操作思路，即引进替代厂商来强迫老供应商主动让利。
但长鑫方面对降价的诉求予以了婉拒，公开说明了同类型规格DRAM的价格不会低于三星和SK海力士的报价，某些高规格产品价格甚至还要更高。事实上长鑫的绝多部分产能已被国内科技企业集团锁定，与此同时腾讯、字节等互联网平台也在高价抢购，长鑫月产30万片基本处于满产状态。
