尽管SK海力士正全力推进产能扩张，存储市场的需求增势丝毫未见放缓，现有产能依然捉襟见肘。郭鲁正预判，客户的采购需求即便到了2030年之后，也将长期高于公司所能提供的供应量。
本次上市，SK海力士以美国存托凭证方式登陆纳斯达克，定价每份149美元。开市后股价直接跳升至170美元，首日收盘报168.01美元，相较发行价涨幅达12.8%。本次IPO共募得约265亿美元（折合人民币约1796亿元），市场认购热情高涨，超额认购倍数超过七倍。
面对AI浪潮带来的海量存储需求，SK集团积极响应韩国政府主导的半导体产能扩充计划，宣布将在本土市场砸下约1100万亿韩元（折合人民币约4.97万亿元），全面扩充存储芯片及配套基础设施的供给规模。
其中，SK海力士将向京畿道龙仁半导体产业园区定向投入约600万亿韩元（折合人民币约2.71万亿元），核心目标是大幅提升DRAM与HBM产能。龙仁园区规划建设四座晶圆厂，第一座已于2025年正式破土动工，预计2027年竣工投产，主攻以HBM为代表的下一代DRAM产品；同时，整个园区的完工节点也从原定的2045年大幅提前至2033年，力求加速释放产能。
在清州方向，SK海力士计划斥资约100万亿韩元（折合人民币约4520亿元），扩大NAND闪存生产规模及相关测试封装能力，新增产能预计在2029年前后陆续进入量产阶段。
除上述布局外，SK海力士还计划再追加约400万亿韩元（折合人民币约1.8万亿元），于韩国西南部打造全新的半导体产业聚集区，规划建设两座专注存储芯片的晶圆厂。
在美国市场方面，SK海力士目前正在印第安纳州推进HBM先进封装及研发中心的建设工作，计划投入约38.7亿美元（折合人民币约262亿元），并预定于2028年下半年率先量产HBM4E和HBM5。
郭鲁正还披露，SK海力士正就在美国本土新建完整晶圆厂的可行性开展评估，目前尚未形成最终决策。他表示，土地储备、电力供应、水资源条件、熟练劳动力储量以及制造综合成本，将是选址过程中的核心考量维度。日本及东南亚地区同样在备选范围之内。
值得关注的是，《洛杉矶时报》于7月8日援引麦肯锡、SEMI及美国国家科学基金会的联合研究报告指出，至2030年，美国半导体行业的技术人才缺口或将高达15.7万人。其中，制造岗位的空缺占比约达74%，工程技术人员的供给缺口也接近60%。报告警告，人才短板将对美国各地半导体工厂的落地建设构成严峻威胁，并进一步制约未来芯片产能的释放。
高盛与摩根士丹利预计，2026年全球与AI相关的资本支出规模仍将维持在约8000亿美元（折合人民币约5.42万亿元）的高位；摩根士丹利更将2027年的预测数字上调至1.12万亿美元（折合人民币约7.59万亿元）。英伟达CEO黄仁勋在6月亦曾公开表态，从晶圆制造、先进封装到硅光子等多个环节的供应瓶颈或将延续数年，并特别点名SK海力士是英伟达在内存领域最重要的合作伙伴。
尽管存储厂商纷纷加快扩产步伐，业内仍不乏对AI投资周期可能趋缓的隐忧。
7月初有消息流出，Meta正酝酿搭建云计算业务板块，拟将暂时闲置的AI算力对外出售。部分市场人士将此举解读为前期算力投入已超出内部实际消化能力，并由此担忧大型科技企业未来或将收缩服务器及AI芯片的采购节奏。受这一情绪拖累，7月1日至2日费城半导体指数两日累计下挫逾11%，美光科技同期跌幅更超过15%。
存储芯片本质上是一个随供需格局起伏的周期性赛道。AI需求的崛起推动HBM定制化程度大幅提升，长单协议的普及也令厂商订单能见度显著改善，在一定程度上拉长了本轮上行周期的持续时间。然而，长期协议并不等于周期风险的彻底消弭。随着三星、SK海力士及美光的新建产能在未来几年相继释放，市场供过于求的局面仍存在重演的可能，届时各厂商将重新面临较大的经营压力。
