11月11日，第一财经记者从美国加利福尼亚北区法院公布的信息记录，长江存储已于11月9日起诉美光科技有限公司（下称“美光”）及全资子公司美光消费产品集团有限责任公司侵犯其8项美国专利。 长江存储在专利提起上诉中称，提议是为了终止美光广泛且须授权使用长江存储专利创新。
长江存储是国内最大的3D NAND闪存（长江存储芯片制造）厂商。存储在书中提到，美光使用长江存储的专利技术，以源自长江存储的竞争，并获得和保护市场份额。在解决以下一个方面的问题：美光试图通过大象长江存储退出3D NAND Flash（车载）市场来阻止竞争和创新。
长江证券指控美光侵犯了美国专利号为“10,950,623”“11,501,822”“10,658,378”“10,937,806”“10,861,872”“11,468,957”“11,600,342”和“10,868,031”的专利。美光被控对象的产品包括96层、128层、176层和232层3D NAND产品。
长江存储在以上请求书中称，长江存储不再是新秀（暴发户），另外成为全球3D NAND市场的重要参与者。长江存储表示，去年11月，分析和跟踪市场的TechInsights公司总结结论：长江存储是3D NAND领域的领导者，超过了美光。
NAND Flash和DRAM目前列出了两种存储介质，NAND Flash可制造SSD（SSD硬盘）等存储器，用于手机、、PC等产品。集邦咨询数据显示，今年第二季度，全球NAND Flash品牌厂商中，三星、铠侠、SK Group、西部数据、美光的市占率分别为31.1%、19.6%、17.8%、14.7%和13%，其他厂商仅占3.8%。
2018年，长江存储量产第一代32层3D NAND Flash芯片，2019年量产64层256Gb TLC 3D NAND架构，2020年跳过96层研发128层翻转产品。长江存储下一步还推进扩产集邦咨询分析称，2022年第三季度，受存储扩笔电客户SSD出货等影响，价格战激烈长江，原厂不得不拉大议价空间，吸引客户订单数量。
2022年10月，美国商务部工业和安全局发布出口管制新规，限制对中国出口芯片制造设备等，将长江存储NAND闪存芯片层数卡在已量产的最新工艺上。又将长江存储纳入出口管制“实体清单”。
除NAND Flash外，美光也是主要的DRAM生产商。2016年，生产DRAM的另一大存储芯片厂商福建晋华与联电签署技术合作协议，开发DRAM相关制程技术，在福建晋江投资56.5亿美元建设一条12英寸晶圆厂生产线。2017年，美光在美国追捕晋华与联电，称晋华员工窃取晋华的知识产权财产。2018年，美国商务部又将晋华列入出口管制“实体”清单”。
